Entenda sobre a memória universal

Um novo tipo de memória eletrônica, com seu consumo de energia considerado ultrabaixo se comparada com memórias atuais, promete dar vida nova aos computadores e aparelhos eletrônicos portáteis.

O Pesquisador Ofogh Tizno e seus colegas da Universidade Lancaster, no Reino Unido, afirmam que sua “memória universal” pode reduzir o consumo de energia das centrais de dados em um quinto das atuais, além de permitir que os computadores realizem boots instantâneos, já que este tipo de memória não perde os dados na ausência de energia elétrica. Segundo os pesquisadores envolvidos:

Uma memória universal, que armazena dados de forma eficaz e que podem ser facilmente alterados, é amplamente considerada inviável ou até mesmo impossível, mas este dispositivo que estamos trabalhando demonstra suas propriedades contraditórias

Sobre a chamada memória universal

O trabalho envolveu usar a mecânica quântica para resolver o dilema de escolher entre armazenamento de dados estável e de longo prazo e a gravação e apagamento de dados usando pouca energia.

Embora a gravação de dados nas memórias DRAM atuais seja rápida e gaste pouca energia em cada operação, os dados são voláteis e devem ser continuamente atualizados para evitar que sejam perdidos, a conta de energia sobe consideravelmente. As memórias do tipo flash, por sua vez, armazenam dados de forma mais eficaz, mas consomem muita energia e se deterioram, além da gravação e o apagamento serem lentos, tornando-as inadequadas para funcionar como uma memória de trabalho.

O ideal é combinar as vantagens de ambos sem seus inconvenientes, e é isso que demonstramos. Nosso dispositivo tem um tempo de armazenamento de dados intrínseco que é previsto para exceder a idade do Universo, mas pode gravar ou excluir dados usando 100 vezes menos energia do que a DRAM.

O protótipo, construído com uma combinação de três semicondutores, contendo arseneto de índio (InAs), antimoneto de gálio (GaSb) e antimoneto de alumínio (AlSb), alcançou uma retenção de dados de 10⁴ segundos e operou à uma tensão abaixo dos 2,6 volts. O entusiasmo da equipe com sua “memória universal” tem fundamento, pois várias empresas de semicondutores já manifestaram interesse em licenciar a patente do novo componente desenvolvido por este grupo de pesquisadores.

Por outro lado, as denominadas “memórias universais” têm sido anunciadas há mais de uma década, incluindo versões “revolucionárias” como as memórias de conteúdo endereçável e, mais recentemente, as memórias antiferromagnéticas, além das memórias com três bits por célula.

Bibliografia:

Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile, Compound-semiconductor Memory Cells. Vol.: 9, Article number: 8950. DOI: 10.1038/s41598-019-45370-1

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