{"id":19733,"date":"2019-07-03T21:02:51","date_gmt":"2019-07-04T00:02:51","guid":{"rendered":"https:\/\/universonerd.net\/portalantigo\/?p=19733"},"modified":"2019-07-03T21:02:59","modified_gmt":"2019-07-04T00:02:59","slug":"entenda-sobre-a-memoria-universal","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/universonerd.net\/portalantigo\/entenda-sobre-a-memoria-universal\/","title":{"rendered":"Entenda sobre a mem\u00f3ria universal"},"content":{"rendered":"\n

Um novo tipo de mem\u00f3ria eletr\u00f4nica<\/strong>, com seu consumo de energia considerado ultrabaixo se comparada com mem\u00f3rias atuais, promete dar vida nova aos computadores e aparelhos eletr\u00f4nicos port\u00e1teis.<\/p>\n\n\n\n

O Pesquisador Ofogh Tizno e seus colegas da Universidade Lancaster<\/strong>, no Reino Unido, afirmam que sua “mem\u00f3ria universal<\/strong>” pode reduzir o consumo de energia das centrais de dados em um quinto das atuais, al\u00e9m de permitir que os computadores realizem boots<\/em> instant\u00e2neos, j\u00e1 que este tipo de mem\u00f3ria n\u00e3o perde os dados na aus\u00eancia de energia el\u00e9trica. Segundo os pesquisadores envolvidos:<\/p>\n\n\n\n

Uma mem\u00f3ria universal, que armazena dados de forma eficaz e que podem ser facilmente alterados, \u00e9 amplamente considerada invi\u00e1vel ou at\u00e9 mesmo imposs\u00edvel, mas este dispositivo que estamos trabalhando demonstra suas propriedades contradit\u00f3rias <\/em><\/strong><\/p><\/blockquote>\n\n\n\n

Sobre a chamada mem\u00f3ria universal<\/strong><\/h4>\n\n\n\n

O trabalho envolveu usar a mec\u00e2nica qu\u00e2ntica<\/strong> para resolver o dilema de escolher entre armazenamento de dados est\u00e1vel e de longo prazo e a grava\u00e7\u00e3o e apagamento de dados usando pouca energia.<\/p>\n\n\n\n

Embora a grava\u00e7\u00e3o de dados nas mem\u00f3rias DRAM atuais seja r\u00e1pida e gaste pouca energia em cada opera\u00e7\u00e3o, os dados s\u00e3o vol\u00e1teis e devem ser continuamente atualizados para evitar que sejam perdidos, a conta de energia sobe consideravelmente. As mem\u00f3rias do tipo flash<\/em>, por sua vez, armazenam dados de forma mais eficaz, mas consomem muita energia e se deterioram, al\u00e9m da grava\u00e7\u00e3o e o apagamento serem lentos, tornando-as inadequadas para funcionar como uma mem\u00f3ria de trabalho.<\/p>\n\n\n\n

O ideal \u00e9 combinar as vantagens de ambos sem seus inconvenientes, e \u00e9 isso que demonstramos. Nosso dispositivo tem um tempo de armazenamento de dados intr\u00ednseco que \u00e9 previsto para exceder a idade do Universo, mas pode gravar ou excluir dados usando 100 vezes menos energia do que a DRAM.<\/em><\/strong><\/p><\/blockquote>\n\n\n\n

O prot\u00f3tipo, constru\u00eddo com uma combina\u00e7\u00e3o de tr\u00eas semicondutores, contendo arseneto de \u00edndio (InAs), antimoneto de g\u00e1lio (GaSb) e antimoneto de alum\u00ednio (AlSb), alcan\u00e7ou uma reten\u00e7\u00e3o de dados de 104<\/sup> segundos e operou \u00e0 uma tens\u00e3o abaixo dos 2,6 volts. O entusiasmo da equipe com sua “mem\u00f3ria universal” tem fundamento, pois v\u00e1rias empresas de semicondutores j\u00e1 manifestaram interesse em licenciar a patente do novo componente desenvolvido por este grupo de pesquisadores.<\/p>\n\n\n\n

Por outro lado, as denominadas “mem\u00f3rias universais” t\u00eam sido anunciadas h\u00e1 mais de uma d\u00e9cada, incluindo vers\u00f5es “revolucion\u00e1rias” como as mem\u00f3rias de conte\u00fado endere\u00e7\u00e1vel e, mais recentemente, as mem\u00f3rias antiferromagn\u00e9ticas, al\u00e9m das mem\u00f3rias com tr\u00eas bits por c\u00e9lula.<\/p>\n\n\n\n

Bibliografia:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile, Compound-semiconductor Memory Cells<\/em><\/i>. <\/em>Vol.: 9, Article number: 8950. DOI<\/strong>: 10.1038\/s41598-019-45370-1<\/p>\n\n\n\n

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